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先进工艺需求将持续增长
来源:中芯集成电路编译自[ICinsights]，略有删改 | 作者:chnchip | 发布时间: 2020-12-17 | 1165 次浏览 | 分享到:
       网络，手机和图形处理器推动了对前沿流程的需求。

       根据IC Insights的2020-2024年全球晶圆产能报告中的信息，从2024年开始，领先（<10nm）工艺的IC容量预计将增长，并将成为整个行业每月安装容量的最大部分。到2020年底，<10nm的产能预计将占IC工业晶圆总产能的10％，然后预计2022年将首次超过20％，并在2024年增加至全球产能的30％ （图1）。组成一代的人以及如何测量最小过程几何尺寸每年都变得越来越困难。因此，关于新工艺技术的晶圆厂产能的任何假设都可能对以最小特征尺寸进行晶圆产能的预测产生重大影响。

图1

       不断缩小最小几何尺寸的动机是巨大的，因为这样做有很多好处：更高的速度，更低的功耗，更低的单位面积成本等，但是有时候会出现收益递减的问题，使芯片设计人员怀疑高成本是否值得。扩展的成本优势已不再是过去。

       与<10nm制程技术相关的设备成本已经飙升至许多IC供应商无法承受的地步。因此，目前只有三星，台积电和英特尔使用小于10纳米工艺技术的晶圆厂。

       同时，设计难题（例如，继续缩小DRAM和NAND闪存单元的体积）阻碍了IC行业使用多年的缩放方法。复杂的基于逻辑的芯片（例如微处理器，ASIC，FPGA和其他高级逻辑设备）也面临挑战。

       IC Insights相信，随着复杂的基于逻辑的芯片的细微特征尺寸的迁移速度将继续放缓，因为芯片设计人员发现越来越难以证明较高的成本是合理的。对于从更高速度，更低功耗等中受益匪浅的应用，将对领先的finFET工艺及更高工艺提出健康的需求。半步生成或现有过程的增强版本的推出也有助于在每个新一代节点之间传递更多的时间。

       2020-2024年全球晶圆产能报告的其他发现包括：

       • 到2020年，预计所有晶圆容量的48％将用于最小几何尺寸（或等效的最小几何尺寸）小于20nm的设备（<10nm时为10.0％； 10-20nm时为38.4％）。此类设备包括具有等效10nm级技术的高密度DRAM和高密度3D NAND闪存，高性能微处理器，低功耗应用处理器以及基于16 / 14nm，12 / 10nm的高级ASIC / ASSP / FPGA器件，或7 / 5nm技术。

       • 韩国拥有66％的产能专用于<20nm制程技术，与其他地区或国家相比，韩国的领先优势仍然明显得多。鉴于三星和SK Hynix对高密度DRAM，闪存和三星应用处理器的重视，该国拥有最先进的晶圆产能集中度不足为奇。

       • 苹果公司，华为公司和高通公司使用台积电的前沿逻辑铸造服务。结果，台湾<20nm的总产能超过35％。尽管如此，28nm，45 / 40nm和65nm世代继续为台积电和联电等代工厂创造大量业务。

       •中国 大多数＜20nm的产能由外国公司拥有和控制，这些外国公司包括三星，SK海力士，英特尔和台积电。YMTC和中芯国际是仅有的提供<20nm制程技术的中国公司。



源文地址：https://www.icinsights.com/news/bulletins/Wafer-Capacity-By-Feature-Size-Shows-Strongest-Growth-At-10nm/
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